計畫名稱
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補助或委託機構
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起訖年月
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執行情形
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計畫內擔任的工作
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經費總額
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技術移轉案：
克里安照相術
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奧博先進科技整合有限公司
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2007/06/15-2007/12/01
|
已結案
|
主持人
|
200,000
|
以量子同調控制改變植物中微細電流動態之研究
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福智文教基金會 心靈科學研究院
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2007/09/01-2008/06/30
|
已結案
|
主持人
|
554,040
|
教學卓越計畫
|
教育部
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2006/08/01-2007/07/31
|
已結案
|
光電同調控制特色實驗室主持人
|
390,000
|
以質子束在鈮酸鋰晶體上製作光電倍頻晶體（2nd harmonic generator）之實驗研究
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行政院原能會核能研究所
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2006/01/01 至2006/12/31
|
已結案
|
主持人
|
400,000
|
以dipole工程提高微波on-chip電感值及改造（有機）發光二極體之光譜表現研究(II)(94-2215-E-150-008-)
|
行政院國家科學委員會
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2005/8/1 至 2006/7/31
|
已結案
|
主持人
|
565,000
|
以dipole工程提高微波on-chip電感值及改造（有機）發光二極體之光譜表現研究(I)(93-2215-E-150-001- )
|
行政院國家科學委員會
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2004/8/1 至 2005/7/31
|
已結案
|
主持人
|
441,200
|
心轉物之具體展現分析研究－I
|
福智文教基金會 心靈科學研究院
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2005/04/01 至2005/12/31
|
已結案
|
主持人
|
286,000
|
電雙極工程之新應用概念開發 ── 含新太陽能電池、新Brewster angle製造法、Weibel不穩定光波放大器、新穎共振頻率漂移產生法
|
奧博實驗室
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2005/03/01 至2005/10/31
|
已結案
|
主持人
|
100,000
|
以質子束在光電晶體上進行特性改變、產生波導（waveguide）及電極性區域反轉（domain inversion）之材料研究
|
行政院原能會核能研究所
|
2005/01/01 至2005/12/31
|
已結案
|
主持人
|
350,000
|
主動式與被動式電荷注入能量選取結構與材料之研究
|
教育部
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2004/08/01 至2005/07/31
|
已結案
|
光電顯示器研發中心子計畫主持人
|
1,950,000
|
光電半導體元件物理模擬實驗室（重點特色）
|
教育部
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2004/08/01 至2005/07/31
|
已結案
|
子計畫主持人
|
1,500,000
|
利用電漿韋博不穩定（Weibel instability）以達成高效率光波放大之研究－I
|
國立虎尾科技大學
|
2004/08/01 至2005/07/31
|
已結案
|
主持人
|
60,000
|
● 專利：
類別
|
專利名稱
|
國別
|
專利號碼
|
發明人
|
專利權人
|
專利期間
|
發明
|
光波放大裝置
|
中華民國
|
I449284
|
廖重賓、蔡翔名
|
國立虎尾科技大學
|
2014/08/11
-
2031/06/26
|
發明
|
可重複充填電解質溶液之有機電池
|
中華民國
|
I375343
|
廖重賓
|
國立虎尾科技大學
|
2012/10/21
-
2028/06/29
|
發明
|
具有特徵轉換效果之放電影像成形方法
|
中華民國
|
I399531
|
廖重賓
|
國立虎尾科技大學
|
2013/06/21
-
2028/05/15
|
發明
|
A wet-to-use organic cell
|
美國
|
US8,211,563 B2
|
廖重賓
|
國立虎尾科技大學
|
2012/07/03
-
2030/01/02
|
發明
|
WET-TO-USE ORGANIC CELL BATTERY沾濕即用之有機電池
|
日本
|
特許第5143089号
|
廖重賓
|
國立虎尾科技大學
|
2012/11/30
-
2029/06/08
|
發明
|
一種產生非對稱性反射及折射的方法
|
中華民國
|
I344015
|
廖重賓
|
國立虎尾科技大學
|
2011/06/21
-
2027/02/11
|
發明
|
一種快閃光的產生方法
|
中華民國
|
I357992
|
廖重賓
|
國立虎尾科技大學
|
2012/02/11
-
2027/02/11
|
發明
|
一種可選擇性啟動之主動式增加電磁波穿過比例之裝置
|
中華民國
|
I308225
|
廖重賓
|
國立虎尾科技大學
|
2009/04/01-
2026/07/03
|
發明
|
用以在矽晶片螺旋電感上產生極高電感值之方法
|
中華民國
|
248622
|
廖重賓
|
國立虎尾科技大學
|
2006/02/01 - 2024/12/30
|
發明
|
利用量子雙障蔽準直器之電荷注入能量選取結構
|
中華民國
|
241151
|
廖重賓
|
國立虎尾科技大學
|
2005/10/01
- 2024/12/30
|
發明
|
一利用雷射駐波與背景電場在非線性介質上達到週期性電極性區域反向的方法
|
中華民國
|
186209
|
廖重賓
|
奧博先進科技整合有限公司
|
2003/07/01
- 2021/02/05
|
發明
|
用以加強粒子束於靶材中之穿透深度的方法及其應用
|
中華民國
|
174407
|
廖重賓，楊清田
|
行政院原子能委員會核能研究所；奧博先進科技整合有限公司
|
2003/03/11
- 2022/03/20
|
發明
|
在半導體基底上形成半絕緣區域的方法
|
中華民國
|
140912
|
廖重賓
|
工研院電光所
|
8/4/2001-2021
|
發明
|
Creation
of local semi-insulating regions on semiconductor substrates
|
美國
|
6,046,109
|
廖重賓
|
工研院電光所
|
4/4/2000-2020
|
發明
|
單晶矽之中子質化摻雜法
|
中華民國
|
122111
|
廖重賓
|
工研院電光所
|
10/11/2000-2020
|
發明
|
Neutron
transmutation doping of silicon single crystals
|
美國
|
5,904,767
|
廖重賓
|
工研院電光所
|
5/18/1999-2019
|
發明
|
一利用質子束形成之替代SOI結構
|
中華民國
|
139709
|
廖重賓
|
工研院電光所
|
7/21/2001-2021
|
發明
|
Alternative
structure to SOI using proton beams
|
美國
|
6,214,750
|
廖重賓
|
工研院電光所
|
4/10/2001-2021
|
發明
|
一利用磊晶層與分隔結構之混合式單晶片積體電路的數位─類比隔絕
|
中華民國
|
130677
|
廖重賓
|
工研院電光所
|
4/11/2001-2021
|
發明
|
利用局部穿透性質子束作矽晶中質化摻雜的方法
|
中華民國
|
135638
|
廖重賓
|
工研院電光所
|
5/28/2001-2021
|
發明
|
Local
penetrating proton beam transmutation doping method for silicon
|
美國
|
6,114,225
|
廖重賓
|
工研院電光所
|
9/5/2000-2021
|
發明
|
利用局部穿透性氘離子束作矽晶中質化摻雜的方法
|
中華民國
|
144963
|
廖重賓
|
工研院電光所
|
10/11/2001-2021
|
發明
|
Location
selective transmutation doping on silicon wafers using high energy deuterons
|
美國
|
6,100,168
|
廖重賓
|
工研院電光所
|
8/8/2000-2020
|
發明
|
一利用掩理導電牆之單晶片元件隔絕
|
中華民國
|
132331
|
廖重賓
|
工研院電光所
|
2001/04/21
- 2019/07/27
|
發明
|
Monolithic
device isolation by buried conducting walls
|
美國
|
6,165,868
|
廖重賓
|
工研院電光所
|
12/26/2000-2020
|
發明
|
Monolithic
device isolation by buried conducting walls-version 2
|
美國
|
6,274,456
|
廖重賓
|
工研院電光所
|
8/14/2001-2021
|
發明
|
具有最佳化的導通電阻及崩潰電壓之功率金氧半場效電晶體及絕緣閘極雙極性電晶體
|
中華民國
|
136996
|
廖重賓
|
工研院電光所
|
6/16/2001-2021
|
發明
|
Method
of making power MOSFET and IGBT with optimized on-resistance and breakdown
|
美國
|
6,190,970
|
廖重賓
|
工研院電光所
|
2/20/2001-2021
|
發明
|
Power
MOSFET and IGBT with optimized on-resistance and breakdown voltage
|
美國
|
6,359,309
|
廖重賓
|
工研院電光所
|
3/19/2002-2022
|
發明
|
可供射頻積體電路元件製造之絕緣基座矽晶圓與其製造方法
|
中華民國
|
117521
|
廖重賓
|
工研院電光所
|
6/21/2000-2020
|
發明
|
Method
of manufacturing SOI wafer with buried layer
|
美國
|
6,365,488
|
廖重賓
|
工研院電光所
|
4/2/2002-2022
|
發明
|
新型雙載子接面電晶體元件及其製造方法
|
中華民國
|
94127
|
廖重賓
|
工研院電光所
|
4/21/1998-2018
|
發明
|
Bipolar
junction transistor device and a method of fabricating the same
|
美國
|
6,028,329
|
廖重賓
|
工研院電光所
|
2/22/2000-2020
|
發明
|
一種於半導體基底上以接面分隔元件之製法
|
中華民國
|
134700
|
廖重賓
|
工研院電光所
|
5/16/2001-2021
|
發明
|
橫向PN行列數位X-ray影像感應器
|
中華民國
|
109140
|
廖重賓
|
工研院電光所
|
10/21/1999-2019
|
發明
|
Lateral
PN arrayed digital x-ray image sensor-version 2
|
美國
|
6,172,370
|
廖重賓
|
工研院電光所
|
1/9/2001-2021
|
發明
|
Lateral
PN arrayed digital x-ray image sensor
|
美國
|
6,027,953
|
廖重賓
|
工研院電光所
|
2/22/2000-2020
|
● 技術移轉：
技術名稱
|
專利名稱
|
授權單位
|
被授權單位
|
合約期間
|
備註
|
克里安照相術
|
克里安照相術
|
國立虎尾科技大學
|
奧博先進科技整合有限公司
|
2007/06/15-2009/6/14
|
技轉金20萬元
|
單晶矽之中子質化摻雜法
|
單晶矽之中子質化摻雜法
|
工研院電光所（發明人：廖重賓）
|
僅收受獎金14,768（2007/ 4月），無法得知被授權單位
|
商業祕密，無法得知
|
詳見工研院專利運用獎勵通知
|
新型雙載子接面電晶體元件及其製造方法
|
新型雙載子接面電晶體元件及其製造方法
|
工研院電光所（發明人：廖重賓）
|
僅收受獎金9,332（2007/ 4月），無法得知被授權單位
|
商業祕密，無法得知
|
詳見工研院專利運用獎勵通知
|
可供射頻積體電路元件製造之絕緣基座矽晶圓與其製造方法
|
可供射頻積體電路元件製造之絕緣基座矽晶圓與其製造方法
|
工研院電光所（發明人：廖重賓）
|
僅收受獎金4,979（2007/ 4月），無法得知被授權單位
|
商業祕密，無法得知
|
詳見工研院專利運用獎勵通知
|
一利用掩理導電牆之單晶片元件隔絕
|
一利用掩理導電牆之單晶片元件隔絕
|
工研院電光所（發明人：廖重賓）
|
僅收受獎金39,762（2007/ 4月），無法得知被授權單位
|
商業祕密，無法得知
|
詳見工研院專利運用獎勵通知
|
一種於半導體基底上以接面分隔元件之製法
|
一種於半導體基底上以接面分隔元件之製法
|
工研院電光所（發明人：廖重賓）
|
僅收受獎金3,864（2007/ 4月），無法得知被授權單位
|
商業祕密，無法得知
|
詳見工研院專利運用獎勵通知
|
一利用掩理導電牆之單晶片元件隔絕
|
一利用掩理導電牆之單晶片元件隔絕
|
工研院電光所（發明人：廖重賓）
|
僅收受獎金39,762（2007/ 4月），無法得知被授權單位
|
商業祕密，無法得知
|
詳見工研院專利運用獎勵通知
|
一種於半導體基底上以接面分隔元件之製法
|
一種於半導體基底上以接面分隔元件之製法
|
工研院電光所（發明人：廖重賓）
|
僅收受獎金3,864（2007/ 4月），無法得知被授權單位
|
商業祕密，無法得知
|
詳見工研院專利運用獎勵通知
|
具有最佳化的導通電阻及崩潰電壓之功率金氧半場效電晶體及絕緣閘極雙極性電晶體
|
具有最佳化的導通電阻及崩潰電壓之功率金氧半場效電晶體及絕緣閘極雙極性電晶體
|
工研院電光所（發明人：廖重賓）
|
僅收受獎金24,007（2007/ 4月），無法得知被授權單位
|
商業祕密，無法得知
|
詳見工研院專利運用獎勵通知
|
一利用質子束形成之替代SOI結構
|
一利用質子束形成之替代SOI結構
|
工研院電光所（發明人：廖重賓）
|
僅收受獎金19,966（2007/ 4月），無法得知被授權單位
|
商業祕密，無法得知
|
詳見工研院專利運用獎勵通知
|
一利用掩埋導電牆之單晶片元件隔絕
|
一利用掩埋導電牆之單晶片元件隔絕
|
工研院電光所（發明人：廖重賓）
|
僅收受獎金66,679（2007/ 4月），無法得知被授權單位
|
商業祕密，無法得知
|
詳見工研院專利運用獎勵通知
|
隔絕數位－類比電路之垂直式pn接面
|
一利用磊晶層與分隔結構之混合式單晶片積體電路的數位－類比隔絕
|
廖重賓
|
奧博實驗室
|
2001 /
08 至
2021 / 07 |
時任實驗室主持人
|
質子束隔絕技術
|
在半導體基底上形成半絕緣區域的方法
|
工研院電光所（發明人：廖重賓）
|
台灣積體電路公司TSMC
|
2001 /
01 至
2020 / 12 |
已接受工研院專利運用獎勵數年
|